久々の電子工作ネタです。
我がガレージの流儀は「自分でやる」です。前回まで紹介したKaiちゃんのKRは場所こそ提供しましたが、作業はKaiちゃんがその殆どを行いました。
その時私はこんな物 ↓ を作って遊んでました(^^)
（そのうちに回路図とプログラムは公開しますね）
MOS-FETを変えると色々変化があるのかな？ってことでテストしましたが、高負荷時に変化がありそうですが、スピード恐怖症の私にはうまい具合にテストできませんでした(^_^;)
そこで、このブログをご覧のCB-F乗りの方にモニター募集します？
取り付けはノーマルイグナイタを同じカプラを使用してますので、配線はポン付け出来ます。本体の固定はマジックテープ等で行って下さい。
最初と何か変化があったときにレポートを頂ければお金は頂きません。
具体的には上記画像の中から3個を着払いでお送りしますので、一番気に入った物をしばらくお使い頂くってのはどうですか？（残りの2個は返送下さいね）
（以下長分になります・・・）
では、違いを少し検証します。
これはノーマルのIGコイルマイナス端子の波形です。
っでこちら ↓ がMOS-FETを使ったイグナイタ
（通電時間の違いは実車計測の為、不規則になってます）
上下とも左側の０V付近から電圧が高くなってますが、下の画像が立ち上がりが少ないでしょ！
これは、通電している時にデバイスの抵抗が少ないってこと。
それから、点火した瞬間の画像 ↓（ノーマル）
真ん中の上まで立ち上がってるところが点火の瞬間、その真ん中をクローズアップしたのが ↓
縦軸の１マスが５０Vなので、点火した瞬間は２８０Vぐらいですね。
ではMOS-FETイグナイタでは
完全に画面を飛び出してますね（＾＾）
画面を少し下側にずらしてみました。
500V程まで立ち上がっているのがわかりますね！
2次コイル側には約100倍の電圧が掛かるのでノーマルは28000Vに対してMOSイグナイタは50000Vってことになるので、強い火花になる（はず）ってことです。因みにIGコイルがどこまで耐えるかはわかりません？？？
どうです、一度ノーマルイグナイタと比べてみませんか？そして、悪いところも含めて情報を頂ける方はいらっしゃいませんか？
